主题: 高速低功耗相变存储器与应用主讲人: 宋志棠地点: 松江校区2号学院楼331理学院报告厅时间: 2018-07-02 13:00:00组织单位: 理学院
报告人简介：
宋志棠，中国科学院上海微系统与信息技术研究所博导、研究员，信息功能材料国家重点实验室主任，中科院特聘研究员，国家超级973项目、国家重点研发计划项目、国家集成电路重大专项项目首席科学家，上海市领军人才、国务院特殊津贴、跨世纪千百万人才国家级人选。长期从事相变存储器（PCM）研究，搭建12英寸PCM专用平台（1.6亿），具备Gb级开发能力，研制出我国第一款PCM芯片，其1500万颗嵌入式芯片在国际首次应用，创立相变八面体基元理论，自主ScSbTe、TiSbTe材料与双沟道二极管等用于芯片。作为首席科学家承担国家4个973项目、3个02专项等重大项目，在Science、Nature comm等期刊发表511篇论文，数量国际第一，他引4517次；国内授权发明专利284项，数量国内第一。“电子级二氧化硅纳米抛光新材料及工业化制备关键技术”2016年获上海市技术发明奖一等奖（排名第1），2017年PCM研究工作入选上海科技精英提名。
报告摘要：
相变存储器（PCM）具有微缩性能好、可三维集成、擦写速度快、与新型COMS工艺相兼容等优点，正以变革计算机框架的存储型内存（StorageClass Memory）角色进入主流存储器市场。中科院上海微系统与信息技术研究所已经研制成功128M相变存储芯片，可满足绝大多数嵌入式系统升级换代的需求。本报告重点回顾了相变存储器的发展历史、国内外研究进展与产业化现状以及科学家对可逆相变机理的研究与认识过程。作者提出了相变八面体原子基元与面心立方亚稳态理论，对于开发自主新型相变材料具有重要的指导意义，将会极大地推动相变存储器研发与产业化的进程。
报告主持：张菁 教授